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合芯半导体带你了解MOSFET场效应管工作原理

发布日期:2019-10-17 浏览:890

合芯半导体带你了解MOSFET场效应管工作原理

       合芯半导体2012年至今一直致力于功率半导体元器件的研发生产销售,生产的高压MOS管比如:4N65,7N65,10N65,12N65,20N65,4N70,5N50,10N50中低压MOSFET比如:3400,3401,2302,2301,60N03,50N06,80N03,15N10,75N80等得到客户的信任,市场占有率逐年提高。

      场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOSFET或者MOS管)。它属于电压控制型半导体元器件区别于之前常使用双极性三极管(电流控制性)。其输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、二次击穿现象少、安全工作区域宽等优点,替代双极型晶体管和现阶段功率晶体管。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 

      与双极型晶体管相比,场效应管具有如下优点。 

(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流),更灵敏。 

(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(100~1200Ω)很大,同双极性三极管对比更节能。 

 (3)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;

(4)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性更好; 

(5)MOS管的抗辐射能力强; 

(6)MOSFET由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。 

工作原理 

      MOS管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的电流ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制电流ID”。更正确地说,电流ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从栅极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,漏源电流ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。 

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与栅极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。 


      MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。 在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流通过,此时场效应管处与截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。 

C-MOS场效应管(增强型MOS场效应管)

      电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。 

作用 

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 

3.场效应管可以用作可变电阻。 

4.场效应管可以方便地用作恒流源。 

5.场效应管可以用作电子开关。 

常见的场效应管 

          MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。 

以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。 

VMOS场效应管 

          VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。 

       在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。 

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 

场效应管与三极管的各自应用特点 

1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。 

2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。 

3.场效应管栅极几乎不取电流(ig?0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。 

4.场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。 

5.场效应管在源极金属与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,β值将减小很多。 

6.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 

7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 

8.三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现用电器件上,一般都用场效应管做开关来用,他的效率是比较高的。 

直流参数 

饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏 源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。 

夹断电压VP它可定义为:当VDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 

开启电压VT它可定义为:当VDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的VGS。 

交流参数 

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。 

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 

极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。 

极限参数 

①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值, 

②最大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子最高工作温度的限制,

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压, 

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。 

除以上参数外,还有极间电容、高频参数等其他参数。 

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的VDS。 

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。 

使用时主要关注的参数有: 

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压VGS=0时的漏源电流。 

2、VP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。 

3、VT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。 

4、gM—跨导。是表示栅源电压VGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压VGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。 

5、BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压VGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS。 

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM [2]  。 

测量方法 

电阻法测电极 

        根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是P沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 

电阻法测好坏 

        测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 

测放大能力 

        用感应信号法具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。根据上述方法,用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。 

       运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。 

无标示管的判别 

       首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是S极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。 

判断跨导的大小 

       测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOS沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。 

结型场管脚识别 

       场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。 

判定栅极 

       用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大,说明均是反向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。 

估测放大能力 

       将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。 

本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。 

应用领域 

        场效应管(fet)是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被应用。 

场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势,在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的,虽然多数已经内置了保护二极管,但稍不注意,也会损坏。所以在应用中还是小心为妙 

参数符号 

Cds---漏-源电容 

Cdu---漏-衬底电容 

Cgd---栅-漏电容 

Cgs---栅-源电容 

Ciss---栅短路共源输入电容 

Coss---栅短路共源输出电容 

Crss---栅短路共源反向传输电容 

D---占空比(占空系数,外电路参数) 

di/dt---电流上升率(外电路参数) 

dv/dt---电压上升率(外电路参数) 

ID---漏极电流(直流) 

IDM---漏极脉冲电流 

ID(on)---通态漏极电流 

IDQ---静态漏极电流(射频功率管) 

IDS---漏源电流 

IDSM---最大漏源电流 

IDSS---栅-源短路时,漏极电流 

IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) 

IG---栅极电流(直流) 

IGF---正向栅电流 

IGR---反向栅电流 

IGDO---源极开路时,截止栅电流 

IGSO---漏极开路时,截止栅电流 

IGM---栅极脉冲电流 

IGP---栅极峰值电流 

IF---二极管正向电流 

IGSS---漏极短路时截止栅电流 

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 

IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 

Iu---衬底电流 

Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) 

gfs---正向跨导 

Gp---功率增益 

Gps---共源极中和高频功率增益 

GpG---共栅极中和高频功率增益 

GPD---共漏极中和高频功率增益 

ggd---栅漏电导 

gds---漏源电导 

K---失调电压温度系数 

Ku---传输系数 

L---负载电感(外电路参数) 

LD---漏极电感 

Ls---源极电感 

rDS---漏源电阻 

rDS(on)---漏源通态电阻 

rDS(of)---漏源断态电阻 

rGD---栅漏电阻 

rGS---栅源电阻 

Rg---栅极外接电阻(外电路参数) 

RL---负载电阻(外电路参数) 

R(th)jc---结壳热阻 

R(th)ja---结环热阻 

PD---漏极耗散功率 

PDM---漏极最大允许耗散功率 

PIN--输入功率 

POUT---输出功率 

PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) 

to(on)---开通延迟时间 

td(off)---关断延迟时间 

ti---上升时间 

ton---开通时间 

toff---关断时间 

tf---下降时间 

trr---反向恢复时间 

Tj---结温 

Tjm---最大允许结温 

Ta---环境温度 

Tc---管壳温度 

Tstg---贮成温度 

VDS---漏源电压(直流) 

VGS---栅源电压(直流) 

VGSF--正向栅源电压(直流) 

VGSR---反向栅源电压(直流) 

VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) 

VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数) 

Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数) 

VGS(th)---开启电压或阀电压 

V(BR)DSS---漏源击穿电压 

V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压 

VDS(on)---漏源通态电压 

VDS(sat)---漏源饱和电压 

VGD---栅漏电压(直流) 

Vsu---源衬底电压(直流) 

VDu---漏衬底电压(直流) 

VGu---栅衬底电压(直流) 

Zo---驱动源内阻 

η---漏极效率(射频功率管) 

Vn---噪声电压 

aID---漏极电流温度系数 

ards---漏源电阻温度系数 

 


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